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UPA867TS	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA867TS-A	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA867TS-T3	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA867TS-T3-A	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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ADS867x	文件：1.61051 Mbytes Page：72 Pages	14-Bit,High-Speed,Single-Supply,SARADCDataAcquisitionSystemwithProgrammable,BipolarInputRanges	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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BB867	文件：394.6 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB867	文件：57.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CEN867	文件：689.51 Kbytes Page：5 Pages	NPN-PowerTransistorDie6.0Amp,100Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CH867UPNPT	文件：149.3 Kbytes Page：5 Pages	PNP&NPNMuti-ChipGeneralPurposeTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT150mAmperes FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. TwointernalisolatedPNPandNPNtransistorsin onepackag	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
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H867	文件：657.31 Kbytes Page：2 Pages	5.3mmBaseLampholders	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
KRC867E	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES •WithBuilt-inBiasResistors. •SimplifyCircuitDesign. •ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市航润创能电子集团有限公司	UPA868TS-T3-A	NEC	21+	3-PIN	10000	原装现货假一赔十	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	UPA868TS-T3-A	NEC	2023+	3-PIN	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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深圳市特顺芯科技有限公司	UPA869TD	NEC	2008++	SOT-563	8000	新进库存/原装	询价

更多UPA867TS供应商更新时间2024-5-16 14:00:00

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