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UPA895TS-T3	文件：206.48 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Built-inlowvoltageoperation,lowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,S21e2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA895TS-T3-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：6-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI	CEL California Eastern Laboratories	CEL

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LOGO

UPA895TS-T3

文件：206.48 Kbytes

Page：9 Pages

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Built-inlowvoltageoperation,lowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,S21e2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPA895TS-T3-A

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：6-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

详细参数

型号：
UPA895TS-T3
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

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更多UPA895TS-T3供应商更新时间2024-6-6 11:03:00

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