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UPA862TD	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD	文件：135.07 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA862TDcontainsoneNE851andoneNE685NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE851isanexcellentoscillatorchip,featuringlow1/fnoiseandhighimmunitytopushingeffects.TheNE685isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewult	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA862TD-A	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-T3	文件：135.07 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA862TDcontainsoneNE851andoneNE685NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE851isanexcellentoscillatorchip,featuringlow1/fnoiseandhighimmunitytopushingeffects.TheNE685isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewult	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA862TD-T3	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD-T3-A	文件：254.39 Kbytes Page：20 Pages	NPN Silicon RF Twin Transistor with 2 Different Elements FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5010,2SC5801) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCoperation fT=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TS	文件：222.52 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11.0dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TS-T3	文件：222.52 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11.0dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA862TD	文件：291.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA862TD-T3-A	文件：291.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
862	文件：82.14 Kbytes Page：1 Pages	PCMount,Shocksafe5x20mm/6.3x32mmFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
ATAM862	文件：1.50714 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNQYZF	文件：1.50714 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNQYZF	文件：2.12569 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNQYZF	文件：1.53 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNQYZF	文件：2.051389 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNQZF	文件：1.15477 Mbytes Page：107 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNSYZF	文件：1.50714 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNSYZF	文件：2.051389 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATAM862X-TNSYZF	文件：2.12569 Mbytes Page：110 Pages	MicrocontrollerwithUHFASK/FSKTransmitter	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel

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详细参数

型号：
UPA862T
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF Twin
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	UPA862TD	NEC	2017+	SOT-763	56787	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多UPA862T供应商更新时间2024-4-29 9:51:00

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