首页>UPA812T>规格书详情

UPA812T分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA812T
厂商型号

UPA812T

参数属性

UPA812T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

文件大小

195.94 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-19 11:09:00

UPA812T规格书详情

UPA812T属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的UPA812T晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    UPA812T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
SOT-363
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
NEC
22+
R6SMM3000PCS
2987
绝对全新原装现货供应!
询价
UTC
23/22+
SOP8
6000
20年老代理.原厂技术支持
询价
NEC
23+
SOT-363
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
CEL
24+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
询价
CEL
21+
SOD-123
145600
专业分立半导体,原装渠道正品现货
询价
NEC
05+
原厂原装
36051
只做全新原装真实现货供应
询价
CEL
17+
原厂原封
1000
原装正品
询价
NEC/RENESAS
24+23+
SOT-363
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
询价
NEC
SOT-363
9760
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价