UPA811T分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
![UPA811T](https://img.114ic.com/dgk/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-363%20PKG.jpg)
厂商型号 |
UPA811T |
参数属性 | UPA811T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
文件大小 |
194.94 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | California Eastern Laboratories |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-19 11:36:00 |
UPA811T规格书详情
UPA811T属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的UPA811T晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
UPA811T-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB @ 2GHz
- 增益:
7.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 5mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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