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UPA810T中文资料PDF规格书

UPA810T
厂商型号

UPA810T

参数属性

UPA810T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

文件大小

223.98 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 22:50:00

UPA810T规格书详情

The µPA810T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise

NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA

• High Gain

|S21e|2= 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA

• A Small Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 ×2SC4226)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA810T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz

  • 增益:

    7dB ~ 9dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
SOT-6
20000
全新原装假一赔十
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NEC
2020+
SOT-363
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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NEC
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
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23+
原厂原包
19960
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2023+
SMD
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2023+
SOT363
700000
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17+
原厂原封
1000
原装正品
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NEC
23+
SOT-363
7750
全新原装优势
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RENESAS/瑞萨
20+
SOT363
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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NEC(VA)
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
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