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UPA807T-T1中文资料PDF规格书

UPA807T-T1
厂商型号

UPA807T-T1

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

文件大小

56.87 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 9:41:00

UPA807T-T1规格书详情

FEATURES

• Low Current, High Gain

|S21e|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• A Super Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)

产品属性

  • 型号:

    UPA807T-T1

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 3V 0.01A 6-Pin SOT-363 T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SOT-363
23+
NA
15659
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RENESAS/瑞萨
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20000
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