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UPA2728GR-E1-A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2728GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=18mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2728GR-E1-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2728GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=18mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low

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更多UPA2728GR-E1-A供应商 更新时间2024-6-14 14:43:00