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UPA2708GR-E2-A	文件：358.25 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2708GRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9.0A) RDS(on)2=7.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9.0A) •Low	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多UPA2708GR-E2-A供应商更新时间2024-6-13 16:00:00