| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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12000 |
23+ |
只做原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSOT23-6 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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NECSOT23-6 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESASSOT-163 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
25630 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨N/A |
12000 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECSOT23-6 |
12000 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECSOT163 |
2500 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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NECSOT163 |
9860 |
23+24 |
原包原标签100%进口原装可开13%税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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NECSOT-23-6 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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NECSOT23-6 |
28096 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-23-6 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-163 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
99181 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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NECSOT23-6 |
220136 |
22+ |
原装正品现货,可开13个点税 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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NECSOT23-6 |
999999 |
23+ |
原装正品现货量大可订货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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UPA610图片
UPA610TA-T2-A中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA610功能描述:UPA610TA Data Sheet | Data Sheet[09/1996]
UPA610TA制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA610TA(T1)制造商:Renesas Electronics Corporation
UPA610TA-T1-A功能描述:MOSFET LV SC-74 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA610TA-T2-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
