选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
留言
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NECSOT163 |
52628 |
20+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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12000 |
23+ |
只做原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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NECNA/ |
5650 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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只做原装SOT23-6 |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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NECSOT23-6 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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NECSOT23-6 |
28096 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
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RENESAS/瑞萨NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-163 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
99181 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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REALTEKQFP128 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSOT23-6 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
8600 |
2022+ |
原装正品,欢迎来电咨询! |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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NECSOT-163 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NECSOT23-6 |
20000 |
19+ |
9000 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-59 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
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RENESAS/瑞萨NA |
6000 |
23+ |
可订货,请确认 |
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深圳市凯越丰电子科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨 |
12000 |
10+ |
一周左右货期全新进口原装 |
UPA610T采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA610T图片
UPA610TA-T1-AIC中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA610TA制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA610TA(T1)制造商:Renesas Electronics Corporation
UPA610TA-T1-A功能描述:MOSFET LV SC-74 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA610TA-T2-A功能描述:MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR