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TN0610N3-G	文件：460.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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TN0610N3-G-P003	文件：460.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0610N3-GP002	文件：626.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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TN0610N3	文件：31.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
TN0610N3-G
功能描述：
MOSFET 100V 1.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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