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TN0106	文件：27.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ■Lowthreshold—2.0Vmax. ■Highinputimpedance ■Lowinputcapacitance—50pFtypical ■Fastswitchingspeeds ■Lowonresistance ■Freefromsecondarybreakdown ■Lowinputandoutputleakage ■ComplementaryN-andP-channeldevices	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0106	文件：66.57 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs [TOPAZSEMICONDUCTOR] N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TN0106	文件：640.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0106N3	文件：66.57 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs [TOPAZSEMICONDUCTOR] N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TN0106N3	文件：27.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ■Lowthreshold—2.0Vmax. ■Highinputimpedance ■Lowinputcapacitance—50pFtypical ■Fastswitchingspeeds ■Lowonresistance ■Freefromsecondarybreakdown ■Lowinputandoutputleakage ■ComplementaryN-andP-channeldevices	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0106ND	文件：66.57 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs [TOPAZSEMICONDUCTOR] N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TN0106N3-G	文件：640.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TW0106A	文件：207.75 Kbytes Page：5 Pages	SMDClockOscillator44.0MHz FEATURES: 1.Ultrasmallpackage 2.Excellentforhigh-densitypackaging.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TXB0106	文件：568.79 Kbytes Page：19 Pages	6-BITBIDIRECTIONALVOLTAGE-LEVELTRANSLATORWITHAUTO-DIRECTIONSENSINGAND짹15-kVESDPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TXB0106	文件：650.71 Kbytes Page：20 Pages	6-BITBIDIRECTIONALVOLTAGE-LEVELTRANSLATORWITHAUTO-DIRECTIONSENSINGAND15-kVESDPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TXB0106	文件：667.44 Kbytes Page：19 Pages	6-BITBIDIRECTIONALVOLTAGE-LEVELTRANSLATORWITHAUTO-DIRECTIONSENSINGAND짹15-kVESDPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TXB0106PWR	文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages	LAUNCHXL-F28379DOverview	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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TXB0106PWR	文件：1.08153 Mbytes Page：28 Pages	6-BitBidirectionalLevel-ShiftingandVoltageTranslator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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TXB0106PWR	文件：650.71 Kbytes Page：20 Pages	6-BITBIDIRECTIONALVOLTAGE-LEVELTRANSLATORWITHAUTO-DIRECTIONSENSINGAND15-kVESDPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TXB0106RGYR	文件：650.71 Kbytes Page：20 Pages	6-BITBIDIRECTIONALVOLTAGE-LEVELTRANSLATORWITHAUTO-DIRECTIONSENSINGAND15-kVESDPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
TN0106
功能描述：
MOSFET 60V 3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TN0106供应商更新时间2024-9-20 10:55:00

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