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TN0106N3	文件：66.57 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs [TOPAZSEMICONDUCTOR] N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TN0106N3	文件：27.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ■Lowthreshold—2.0Vmax. ■Highinputimpedance ■Lowinputcapacitance—50pFtypical ■Fastswitchingspeeds ■Lowonresistance ■Freefromsecondarybreakdown ■Lowinputandoutputleakage ■ComplementaryN-andP-channeldevices	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0106N3-G	文件：640.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106N3	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106N3	文件：68.09 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN0106N3-G	文件：640.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpos	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106N3	文件：90.22 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelEnhancement-Mode P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VP0106N3	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106N3	文件：225.63 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106N3-G	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106N3-G	文件：759.88 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
TN0106N3
功能描述：
MOSFET 60V 3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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