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APM4953KC-TR	文件：500.19 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
APM4953KC-TRL	文件：1.05782 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM4953KC-TRL	文件：119.05 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Portable	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4953KC-TU	文件：119.05 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Portable	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4953KC-TU	文件：221.02 Kbytes Page：9 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4953KC-TU	文件：500.19 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
APM4953KC-TUL	文件：119.05 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Portable	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
B4953	文件：80.34 Kbytes Page：9 Pages	SAWComponentsLow-LossFilterforMobileCommunication380,00MHz	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
B4953	文件：1.30566 Mbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BD4953	文件：269.09 Kbytes Page：10 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD4953	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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详细参数

型号：
TLE4953
功能描述：
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Diff 2-Wire Hall Effect Sensor IC
RoHS：
否
制造商：
Honeywell
类型：
Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor
工作电源电压：
3 V to 24 V
电源电流：
3.5 mA
最大输出电流：
20 mA
工作点最小值/最大值：
5 G, 55 G
最小/最大释放点（Brp）：
- 55 G, - 5 G
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23

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更多TLE4953供应商更新时间2024-6-18 14:00:00

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