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ACE4953BFM-H	文件：2.13835 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AF4953P	文件：181.51 Kbytes Page：5 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AK4953A	文件：940.44 Kbytes Page：96 Pages	24bitStereoCODECwithMIC/HP/SPK-AMP	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AK4953AEN	文件：1.74886 Mbytes Page：99 Pages	24bitStereoCODECwithMIC/HP/SPK-AMP	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AM4953	文件：497.75 Kbytes Page：16 Pages	BTLDriveSingle-phaseFull-waveFanMotorDriver	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AM4953	文件：459.7 Kbytes Page：16 Pages	BTLDriveSingle-phaseFull-waveFanMotorDriver	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AM4953	文件：801.2 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4953usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM4953isavailableinSOP8package. FEATURES VDS=-30V,ID=-	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM4953P	文件：366.59 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO4953	文件：1.05502 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953D	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼SimpleDriveRequirement ▼LowOn-resistance ▼FastSwitching	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：207.36 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：70.57 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvolt	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：1.05539 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953GM-HF	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953GM-HF	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. ▼SimpleDriveRequirement ▼LowGateCharge ▼FastSwitching ▼RoHSCompliant	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953M	文件：1.05518 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953M	文件：85.82 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM4953	文件：221.02 Kbytes Page：9 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4953	文件：500.19 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
APM4953	文件：2.01202 Mbytes Page：5 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES RDS(ON)=60mQ@VGs=-10V(Max) RDS(ON)=90mQ@VGs=-4.5V(Max)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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详细参数

型号：
TLE4953
功能描述：
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Diff 2-Wire Hall Effect Sensor IC
RoHS：
否
制造商：
Honeywell
类型：
Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor
工作电源电压：
3 V to 24 V
电源电流：
3.5 mA
最大输出电流：
20 mA
工作点最小值/最大值：
5 G, 55 G
最小/最大释放点（Brp）：
- 55 G, - 5 G
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23

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更多TLE4953供应商更新时间2024-6-19 15:28:00

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