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TK09H90A	文件：239.06 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=1.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=720V) •Enhancementmode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TK09H90A

文件：239.06 Kbytes

Page：6 Pages

SwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=1.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=720V) •Enhancementmode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK09H90A(Q)
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TK09H90A(Q)供应商更新时间2024-5-21 11:03:00

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