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IXFK140N20P	文件：231.54 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET PolarHT™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN140N20P	文件：98.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFQ140N20	文件：312.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR140N20	文件：309.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR140N20P	文件：144.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247 N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features •Internationalstandardisolatedpackage •ULrecognizedpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK140N20P	文件：564.01 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK140N20P	文件：295.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TD140N20KOF
功能描述：
SCR模块 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
260 A
不重复通态电流：
4000 A 最大转折电流
IBO：
4200 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
1.6 kV
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
20 mA
开启状态电压：
1.43 V 保持电流（Ih
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
Chassis
封装/箱体：
INT-A-PAK

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