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HFBR-1405TC	文件：288.97 Kbytes Page：25 Pages	ComponentsisDesignedtoProvidecosteffective,Highperformancefiberopticcommunicationlinks Description TheHFBR-0400Seriesofcomponentsisdesignedtoprovidecosteffective,highperformancefiberopticcommunicationlinksforinformationsystemsandindustrialapplicationswithlinkdistancesofupto4kilometers.WiththeHFBR-24X6,the125MHzanalogreceiver,dataratesofupt	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-1405TM	文件：288.97 Kbytes Page：25 Pages	ComponentsisDesignedtoProvidecosteffective,Highperformancefiberopticcommunicationlinks Description TheHFBR-0400Seriesofcomponentsisdesignedtoprovidecosteffective,highperformancefiberopticcommunicationlinksforinformationsystemsandindustrialapplicationswithlinkdistancesofupto4kilometers.WiththeHFBR-24X6,the125MHzanalogreceiver,dataratesofupt	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-1405TZ	文件：391.98 Kbytes Page：25 Pages	Low-Cost,820nmMiniatureLinkFiberOpticComponentswithST,SMA,SC,andFCPorts Features RoHScompliant Low-costtransmittersandreceivers ChoiceofST,SMA,SC,orFCports 820nmwavelengthtechnology Signalratesupto160MBaud Linkdistancesuptoseveralkilometers Compatiblewith50/125μm,62.5/125μm,100/140μm,and200μmPlastic-CladSilica(	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
HOA1405	文件：387.11 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveSensor	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
HOA1405	文件：1.02693 Mbytes Page：18 Pages	InfraredSensorsLineGuide	HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers 霍尼韦尔霍尼韦尔国际公司	HONEYWELL-ACC
HOA1405	文件：1.02693 Mbytes Page：18 Pages	InfraredSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
IIRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：3.36263 Mbytes Page：9 Pages	ElectricPowerSteering(EPS) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405	文件：116.43 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=169A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtempe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405	文件：255.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405L	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405L	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405LPBF	文件：240.27 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=5.3m廓,ID=131A) Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405PBF	文件：207.62 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=5.3mΩ ID=169A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405PBF	文件：263.89 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405S	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405S	文件：263.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多TD1405供应商更新时间2024-5-21 9:02:00

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