| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
446 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISTO-263262 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
5623 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
196 |
11+ |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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InfineonD2PAK |
15500 |
23+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO263 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
IRF1405S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1405S图片
IRF1405SPBF价格
IRF1405SPBF价格：￥5.8218品牌：International
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IRF1405SPBF
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IRF1405S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1405S功能描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1405SPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 131A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF1405STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405STRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF1405STRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
