| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF2807,全新原装,正品供应。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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153000 |
21+ |
原装正品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
88000 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO220AB |
56000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220 |
161152 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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n/a |
2580 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
88000 |
2118+ |
只做现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
10000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
19048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
23316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-220AB |
7000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
30000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
1000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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INFINEONto-220 |
10000 |
23+ |
进口原装现货 |
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IRF2807HR价格
IRF2807HR价格：￥11.3555品牌：International Rectifier
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IRF2807PBF资讯
IRF2807ZS 75V75A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF2807ZS75V75ATO263IR整流器
IRF2807STRLPBF
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IRF2807PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF2807制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 75 V 230 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
IRF2807HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 82A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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IRF2807LPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 75V 82A TO262
IRF2807PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2807S功能描述:MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF2807SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF2807SPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2807STRL功能描述:MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF2807STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
