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MBR10H100CT	文件：515.179 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR10H100CT	文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：268.45 Kbytes Page：4 Pages	PowerSchottkyRectifier	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
MBR10H100CT	文件：862.83 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodeinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MBR10H100CT	文件：224.39 Kbytes Page：3 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiersLowpowerloss,highefficiency	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：1.23717 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervo	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR10H100CT	文件：1.23714 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervo	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR10H100CT	文件：127.79 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR10H100CT	文件：530.38 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100CT	文件：1.30244 Mbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：595.5 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：195.43 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：78.47 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100CT	文件：83.24 Kbytes Page：3 Pages	MBR10H100CT,MBRF10H100CT&MBRB10H100CTSeries Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvol	VAISHVaishali Semiconductor Vaishali Semiconductor	VAISH
MBR10H100CT	文件：68.44 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier100V,10A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.61V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •10ATotal(5.0APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−Outp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR10H100CTG	文件：68.44 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier100V,10A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.61V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •10ATotal(5.0APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−Outp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB10H100	文件：114.15 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSchottkyRectifiers HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB10H100	文件：143.83 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB10H100	文件：1.19019 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRB10H100	文件：148.98 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
STPS10H100CFP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STPS10H100CFP	STMicroelectronics	24+	TO-220-3 整包	30000	二极管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多STPS10H100CFP供应商更新时间2024-6-14 14:44:00

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