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STP24NM60N	文件：996.27 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600 V, 0.168 廓, 17 A MDmesh??II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP24NM60N	文件：320.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
24NM60N	文件：564.71 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.200廓,16APowerFLAT??8x8HVMDmesh??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STB24NM60N	文件：899.46 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.168,17AMDmeshIIPowerMOSFET Description TheseN-channel600VPowerMOSFETdevices aremadeusingthesecondgenerationof MDmesh™technology.ThisrevolutionaryPower MOSFETassociatesanewverticalstructureto thecompany’sstriplayouttoyieldoneofthe world’sloweston-resistanceandgatecharge.Itis theref	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF24NM60N	文件：311.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF24NM60N	文件：996.27 Kbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.168廓,17AMDmesh??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI24NM60N	文件：804.08 Kbytes Page：12 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP24NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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