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STP130N10F3	文件：1.21928 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 100 V, 7.8 m廓 typ., 120 A STripFET?줚II Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAKFP, H짼PAK-2 and TO-220 packages Description ThesedevicesareN-channelenhancementmodePowerMOSFETsproducedusingSTMicroelectronics’STripFET™IIItechnology,whichisspecificallydesignedtominimizeon-resistanceandgatechargetoprovidesuperiorswitchingperformance. Features ■Ultralowon-resistance ■100avala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ET130N10-Z	文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	StandardSizeToggleSwitch	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司	COPAL
IXFA130N10T	文件：156.44 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFETHiperFET TrenchMV™PowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Fastintrisicdiode Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA130N10T	文件：299.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP130N10T	文件：156.44 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFETHiperFET TrenchMV™PowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Fastintrisicdiode Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP130N10T	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA130N10T	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA130N10T	文件：154.26 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH130N10T	文件：145.91 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH130N10T	文件：272.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP130N10T	文件：295.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTP130N10T	文件：154.26 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ130N10T	文件：301.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ130N10T	文件：145.91 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
STP130N10
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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