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STP130N10F3	文件：1.21928 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 100 V, 7.8 m廓 typ., 120 A STripFET?줚II Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAKFP, H짼PAK-2 and TO-220 packages Description ThesedevicesareN-channelenhancementmodePowerMOSFETsproducedusingSTMicroelectronics’STripFET™IIItechnology,whichisspecificallydesignedtominimizeon-resistanceandgatechargetoprovidesuperiorswitchingperformance. Features ■Ultralowon-resistance ■100avala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF130N10F3	文件：2.13856 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF130N10F3	文件：1.21928 Mbytes Page：23 Pages	N-channel100V,7.8m廓typ.,120ASTripFET?줚IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAKFP,H짼PAK-2andTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelenhancementmodePowerMOSFETsproducedusingSTMicroelectronics’STripFET™IIItechnology,whichisspecificallydesignedtominimizeon-resistanceandgatechargetoprovidesuperiorswitchingperformance. Features ■Ultralowon-resistance ■100avala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI130N10F3	文件：1.21928 Mbytes Page：23 Pages	N-channel100V,7.8m廓typ.,120ASTripFET?줚IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAKFP,H짼PAK-2andTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelenhancementmodePowerMOSFETsproducedusingSTMicroelectronics’STripFET™IIItechnology,whichisspecificallydesignedtominimizeon-resistanceandgatechargetoprovidesuperiorswitchingperformance. Features ■Ultralowon-resistance ■100avala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP130N10F3
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STP130N10F3供应商更新时间2024-4-28 11:10:00

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