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STGW60H65DFB-4	文件：556.1 Kbytes Page：15 Pages	Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin •LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A •Minimizedtailcurrent •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW60H65DFB-4

文件：556.1 Kbytes

Page：15 Pages

Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin •LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A •Minimizedtailcurrent •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecov

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGW60H65DFB-4

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT

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产品属性

产品编号：
STGW60H65DFB-4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HB
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，60A
开关能量：
346µJ（开），1.161mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
65ns/261ns
测试条件：
400V，60A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-4
供应商器件封装：
TO-247-4
描述：
IGBT

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