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STGP8M120DF3	文件：343.72 Kbytes Page：15 Pages	Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package Features •10μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=8A •Tightparameterdistribution •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance •Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP8M120DF3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STGP8M120DF3

文件：343.72 Kbytes

Page：15 Pages

Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package

Features •10μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=8A •Tightparameterdistribution •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance •Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STGP8M120DF3

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP8M120DF3
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，8A
开关能量：
390µJ（开），370µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/126ns
测试条件：
600V，8A，33 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

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更多STGP8M120DF3供应商更新时间2024-5-21 15:00:00

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