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STGP30H60DFB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ST/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
STGP30H60DFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,30A
- 开关能量:
383µJ(开),293µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
37ns/146ns
- 测试条件:
400V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
供应商
- 企业:
深圳市盈腾兴电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李小姐
- 手机:
13728681908
- 询价:
- 电话:
0755-82736697/82739634
- 传真:
0755-82701952
- 地址:
深圳市福田上步工业区101栋4楼H18
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