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STGF3NC120HD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGF3NC120HD |
参数属性 | STGF3NC120HD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 6A 25W TO220FP |
功能描述 | 7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode |
文件大小 |
769.83 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 23:14:00 |
STGF3NC120HD规格书详情
Description
This high voltage and very fast IGBT shows an
excellent trade-off between low conduction losses
and fast switching performance. It is designed in
PowerMESH™ technology combined with high
voltage ultrafast diode.
Features
■ High voltage capability
■ High speed
■ Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
Applications
■ Home appliance
■ Lighting
STGF3NC120HD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGF3NC120HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGF3NC120HD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,3A
- 开关能量:
236µJ(开),290µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
15ns/118ns
- 测试条件:
800V,3A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220-3 整包 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
TO220 |
80000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 FP |
8800 |
公司只做原装正品 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
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ST |
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TO-220F |
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ST/意法半导体 |
2023 |
TO-220-3 FP |
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ST |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 FP |
6000 |
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ST |
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st |
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TO-220F |
10000 |
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