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STGF15H60DF分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGF15H60DF |
参数属性 | STGF15H60DF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 30A 30W TO220FP |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
文件大小 |
1.86596 Mbytes |
页面数量 |
23 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-8 18:02:00 |
STGF15H60DF规格书详情
Description
This device is an IGBT developed using an
advanced proprietary trench gate and field stop
structure. This IGBT series offers the optimum
compromise between conduction and switching
losses, maximizing the efficiency of very high
frequency converters. Furthermore, a positive
VCE(sat) temperature coefficient and very tight
parameter distribution result in easier paralleling
operation.
Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
Applications
• Motor control
• UPS, PFC
STGF15H60DF属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGF15H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGF15H60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,15A
- 开关能量:
136µJ(开),207µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
24.5ns/118ns
- 测试条件:
400V,15A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
IGBT 600V 30A 30W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
TO220F |
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