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STGF10NB60SD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGF10NB60SD |
参数属性 | STGF10NB60SD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 23A 25W TO220FP |
功能描述 | N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
文件大小 |
273.61 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
STGF10NB60SD规格书详情
STGF10NB60SD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGF10NB60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGF10NB60SD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V,10A
- 开关能量:
600µJ(开),5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
700ns/1.2µs
- 测试条件:
480V,10A,1 千欧,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
23+ |
TO-220F |
942 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
52 |
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ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
2023 |
TO-220-3 FP |
6000 |
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STM |
21+ |
N/A |
9000 |
深圳通 |
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ST/意法 |
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TO-220F |
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ST(意法) |
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NA |
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ST |
22+ |
TO-220FP |
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ST/意法 |
21+ |
NA |
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