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STD5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
5N62K3	文件：1.10806 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB5N62K3	文件：1.10908 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STU5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD5N62K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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