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STD5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingUltraFASTmesh™technology,whichcombinestheadvantagesofreducedonresistance,Zenergateprotectionandveryhighdv/dtcapabilitywithanenhancedfastbody-drainrecoverydiode. Features ■100avalanchetested ■Outst	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD5N52U	文件：1.07811 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
5N52U	文件：1.07614 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
5N52U	文件：548.06 Kbytes Page：13 Pages	N-channel525V,1.25Ωtyp.,4.4A,UltraFASTmesh™PowerMOSFETinaTO-220FPpackage Features Outstandingdv/dtcapability Gatechargeminimized Verylowintrinsiccapacitances VerylowRDS(on) Extremelylowtrr Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisN-channelPowerMOSFETdevelopedusingUltraFASTmesh™ technology,whichcombinestheadvantage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel525V,1.28ohm,4.4A,DPAK,TO-220FP,I2PAKUltraFASTmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingUltraFASTmesh™technology,whichcombinestheadvantagesofreducedonresistance,Zenergateprotectionandveryhighdv/dtcapabilitywithanenhancedfastbody-drainrecoverydiode. Features ■100avalanchetested ■Outst	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF5N52U	文件：548.06 Kbytes Page：13 Pages	N-channel525V,1.25Ωtyp.,4.4A,UltraFASTmesh™PowerMOSFETinaTO-220FPpackage Features Outstandingdv/dtcapability Gatechargeminimized Verylowintrinsiccapacitances VerylowRDS(on) Extremelylowtrr Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisN-channelPowerMOSFETdevelopedusingUltraFASTmesh™ technology,whichcombinestheadvantage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel525V,1.28ohm,4.4A,DPAK,TO-220FP,I2PAKUltraFASTmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingUltraFASTmesh™technology,whichcombinestheadvantagesofreducedonresistance,Zenergateprotectionandveryhighdv/dtcapabilitywithanenhancedfastbody-drainrecoverydiode. Features ■100avalanchetested ■Outst	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel525V,1.28ohm,4.4A,DPAK,TO-220FP,I2PAKUltraFASTmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingUltraFASTmesh™technology,whichcombinestheadvantagesofreducedonresistance,Zenergateprotectionandveryhighdv/dtcapabilitywithanenhancedfastbody-drainrecoverydiode. Features ■100avalanchetested ■Outst	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD5N52U
功能描述：
MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STD5N52U	STMicroelectronics	24+	DPAK	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多STD5N52U供应商更新时间2024-5-29 11:48:00

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