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STB10NA40

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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.46Ω ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWINTRINSICCAPACITANCES ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDTHRESHOLDVOLTAGESPREAD ■THROUGH-HOLEI2PAK(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STP10NA40

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR

DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STP10NA40FI

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR

DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STV10NA40

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N-CHANNELENHANCEMEMTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR

DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogavethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

SVF-61-G

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Plug-inSignalConditionersM-UNIT

MSYSTEMM-System Co., Ltd.

爱模爱模系统有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
STB10NA40
ST
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TO-263/D2-PAK
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2024
D2PAK/TO-263
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