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SPD30N06S2L-13	文件：264.82 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N06S2L-13	文件：153.98 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N06S2L-13	文件：381.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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SPD30N06S2L-13

文件：264.82 Kbytes

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OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPD30N06S2L-13

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OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPD30N06S2L-13

文件：381.45 Kbytes

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N-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
SPD30N06S2L-13
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多SPD30N06S2L-13供应商更新时间2024-4-28 17:15:00

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