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IPD30N03S2L-20

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD30N03S2L-20

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD30N03S2L-20

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD30N03S2L-20

OptiMOSPower-Transistor

Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD30N03S2L-20G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD30N03S2L-20G

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    SPD30N03S2L-20 G

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET DISCRETE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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