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SPB80N03S2L-04中文资料PDF规格书
SPB80N03S2L-04规格书详情
OptiMOS® Power-Transistor
Feature
• N-Channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• 175°C operating temperature
• Avalanche rated
• dv/dt rated
产品属性
- 型号：
SPB80N03S2L-04
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
SOT263 |
5000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
INENOI |
20+ |
SOT263 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INENOI |
24+ |
SOT263 |
24236 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
SOT263 |
5000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
P-TO263-3-2 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263-3-2 |
15000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
P-TO263-3-2 |
6065 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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infineon |
2020+ |
P-TO263-3-2 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2105+ |
P-TO263-3-2 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
