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SPB80N03S2-03规格书详情
Feature
• N-Channel
• Enhancement mode
• Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• 175°C operating temperature
• Avalanche rated
• dv/dt rated
产品属性
- 型号：
SPB80N03S2-03
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
SMD |
26661 |
全新原装现货,专业代理热卖 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
10800 |
只做原装 欢迎咨询 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
SOT-263 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
TO263 |
7906200 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
TO-263 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
infineon |
22+ |
35000 |
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询价 | |||
INFINEON |
07+ |
TO-263 |
36800 |
询价 | |||
INFINEON |
2023+ |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
1000 |
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询价 |
