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SIA414DJ-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：深圳市振芯物联科技有限公司	Vishay
SIA414DJ-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团相关企业：深圳市振芯物联科技有限公司	TFUNK
SIA414DJ-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY QFN	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市振芯物联科技有限公司	BARRY

详细参数

型号：
SIA414DJ-T1-E3
功能描述：
MOSFET 8.0V 12A 19W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振芯物联科技有限公司	SIA414DJ-T1-E3	VISHAY	22+	QFN	28600	只做原装正品现货假一赔十一级代理	询价
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更多SIA414DJ-T1-E3供应商更新时间2024-6-2 9:08:00

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