| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世DFN2x2 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK-SC-70-6L |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSC70 |
7906200 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK SC-70-6L |
58914 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世DFN2x2 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SC-70-6 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSC-70 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VISHAY(威世)SC-70-6 |
115000 |
2112+ |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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67000 |
23+ |
原装正品实单可谈 库存现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
56000 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSC-70 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SC706 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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VishayNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市联成美业电子有限公司年
留言
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VISHAY/威世 |
24000 |
22+ |
询价拨打15919799957全天在线 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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VishayVishayMOSFETs |
100000 |
NEW- |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Vishay(威世)NA |
6500 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
1219 |
23+ |
原装现货,专业配单专家 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
1219 |
21+ |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
SIA416DJ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SIA416DJ图片
SIA416DJ-T1-GE3价格
SIA416DJ-T1-GE3价格：￥1.5410品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SIA416DJ-T1-GE3多少钱，想知道SIA416DJ-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.5410。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SIA416DJ-T1-GE3批发价格及采购报价，SIA416DJ-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SIA416DJ-T1-GE3报价。
SIA416DJ-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIA416DJ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V(D-S) MOSFET
SIA416DJ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V(D-S) MOSFET
SIA416DJ-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA416DJ-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
