| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYPowerPAKS |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
2701 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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SIQFN-8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN8 |
6000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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VISHAYQFN8 |
11109 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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VISHAYQFN |
17500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世QFN-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYQFN |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世PAKSO-8 |
12580 |
24+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYPAKSO-8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SO8 Dual |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYQFN |
35200 |
21+ |
一级代理分销/放心采购 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
50 |
21+ |
原装假一罚十!特价支持实单!一片起卖! |
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深圳市联成美业电子有限公司年
留言
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VISHAY/威世 |
9840 |
22+ |
询价拨打15919799957全天在线 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世POWERPAK |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYQFN8 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!或订货假一赔十! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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-NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世QFN-8 |
14 |
23+ |
SI7980DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7980DP图片
SI7980DP-T1-GE3价格
SI7980DP-T1-GE3价格：￥4.3663品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7980DP-T1-GE3多少钱，想知道SI7980DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥4.3663。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7980DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7980DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7980DP-T1-GE3报价。
SI7980DP-T1-GE3MOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7980DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7980DP-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 8.0A 19.8/21.9W 22/15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7980DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
