共有1条记录
SI7973DP-T1-E3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7973DP-T1-E3图片
SI7973DP-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7973DP-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 12.8A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube