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SI4936DY-T1-E3	文件：1.025609 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SI4936DY-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI4936DY-T1-E3供应商更新时间2024-6-9 22:59:00

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