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SI4952DY-T1-GE3

VISHAY
SOP8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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SI4952DY-T1-GE3

VBSEMI
SO-8

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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SI4952DY-T1-GE3

VISHAY
SOP-8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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SI4952DY-T1-GE3

VISHAY
SOP8

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威世威世(VISHAY)集团

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SI4952DY-T1-GE3

VISHAY
SOP8

BARRY

Vishay Barry

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详细参数

  • 型号:

    SI4952DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
21+
SO-8
6000
原装正品
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VISHAY/威世
22+
SOIC-8
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2500
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VISHAY/威世
2021+
SO-8
9000
原装现货,随时欢迎询价
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VISHAY/威世
24+
SOIC-8
2500
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原厂原装正品,价格超越代理
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深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
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8-SOIC
7500
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SO-8
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更多SI4952DY-T1-GE3供应商 更新时间2024-5-2 11:18:00