选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
12000 |
1847 |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装标准 |
36889 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)TSOP-6 |
58693 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
6670 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
426 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
6670 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
24000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
留言
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VishayN/A |
3000 |
21+ |
确保原装现货,实单价格支持! |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSMD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
20 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOT23 |
20 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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SI3552DV图片
SI3552DV-T1-E3价格
SI3552DV-T1-E3价格:¥0.9086品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3552DV-T1-E3多少钱,想知道SI3552DV-T1-E3价格是多少?参考价:¥0.9086。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3552DV-T1-E3批发价格及采购报价,SI3552DV-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI3552DV-T1-E3报价。
SI3552DV资讯
SI3552DV中文资料Alldatasheet PDF
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SI3552DV-T1功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3552DV-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3552DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube