MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3552DV-GE3

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-6

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A, 1.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms, 200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 3.2 nC, 3.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.15 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Dual

高度: 1.1 mm

长度: 3.05 mm

产品类型: MOSFET

系列: SI3

3000

子类别: MOSFETs

宽度: 1.65 mm

零件号别名: SI3552DV-E3

单位重量: 20 mg