订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>SI3443DVTRPBF>芯片详情
SI3443DVTRPBF_IR/国际整流器_MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 11nC汇莱威三部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI3443DVTRPBF
- 功能描述:
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 11nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市汇莱威科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
司先生
- 手机:
18126328660
- 询价:
- 电话:
0755-82785677
- 地址:
深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503
相近型号
- SI3443DV-T1
- SI3445DV-T1-GE3
- SI3443DV
- SI3446ADV-T1-E3
- SI3443DDV-T1-GE3
- SI3443DDV-T1-E3
- SI3446ADV-T1-GE3
- SI3443DDV
- SI3446DV-NL
- SI3443CDV-T1-GE3
- SI3446DV-T1
- SI3443CDV-T1-E3
- SI3446DV-T1-E3
- SI3443CDV
- SI3446DV-T1-GE3
- SI3443BVD
- SI3447BDS
- SI3443BDV-T1-GE3
- SI3447BDV-T1
- SI3443BDV-T1-E3
- SI3447BDV-T1-E3
- SI3443BDV-T1
- SI3442DV-T1-E3
- SI3447CDV-T1-E3
- SI3442DV-T1
- SI3442DV
- SI3447CDV-T1-GE3
- SI3442CDV-T1-GE3
- SI3447DV
- SI3442CDV-T1-E3
- SI3447DV-T1-GE3
- SI3442BDV-T1-GE3
- SI3451DV-T1-GE3
- SI3442BDV-T1-E3
- SI3452A-802-GM
- SI3452A-B01-GM
- SI3452A-B01-GMR
- SI3441DV-T1--GE3
- SI3452-B02-GM
- SI3441DV-T1-E3
- SI3452B-B01-GM
- SI3441DV-T1
- SI3452B-B02-GM
- SI3441DV
- SI3452B-B02-GMR
- SI3441BDV-T1-GE3
- SI3452C
- SI3452C-B01-GM
- SI3441BDV-T1-E3
- SI3452C-B02-GM