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BC847AWT1	文件：207.09 Kbytes Page：6 Pages	CASE419-02,STYLE3SOT-323/SC-70 GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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LBC847AWT1	文件：155.35 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC847AWT1G	文件：550.37 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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LBC847AWT1G	文件：284.28 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
S-LBC847AWT1G	文件：1.01285 Mbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
SBC847AWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3

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