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SBC857CDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC857CDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857CDW1T1	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC856BDW1T1=3B BC857BDW1T1=3F BC857CDW1T1=3G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857CDW1T1	文件：469.23 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
BC857CDW1T1	文件：164.15 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors(PNPDuals) DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC857CDW1T1G	文件：178.77 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857CDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857CDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBC857CDW1T1	文件：247.95 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC857CDW1T1G	文件：134.71 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC857CDW1T1G	文件：462.3 Kbytes Page：6 Pages	S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
SBC857CDW1T1G
功能描述：
TRANS PNP DUAL 45V 100MA SOT-363
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
*
标准包装：
1
系列：
-
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SBC857CDW1T1G	onsemi	23+	6-TSSOP,SC-88,SOT-363	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SBC857CDW1T1G	onsemi(安森美)	23+	SOT-363-6(SC-70-6)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市纳立科技有限公司	SBC857CDW1T1G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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深圳市瑞智芯科技有限公司	SBC857CDW1T1G	onsemi	21+	n/a	2368	原装正品订货,请确认	询价
深圳市振宏微科技有限公司	SBC857CDW1T1G	ON	23+	原厂原封	9000	订货1周原装正品	询价
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深圳市百纳智芯科技有限公司	SBC857CDW1T1G	ON	2021	N/A	6000		询价
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深圳市金宏图电子科技有限公司	SBC857CDW1T1G	ON Semiconductor	22+		2368	全新原装深圳现货	询价

更多SBC857CDW1T1G供应商更新时间2024-5-13 20:19:00

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