| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
14750 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17246 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO252 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO252 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7228 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesP-TO252-3 |
2500 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONSOT-252 |
20000 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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infineonTO-252 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMITO252-3 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VBSEMI/台湾微碧TO252-3 |
5027 |
23+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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infineonTO-252 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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infineonSOT252 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
847 |
1932+ |
SPD30N06S2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPD30N06S2图片
SPD30N06S2L-232N06L23中文资料Alldatasheet PDF
更多SPD30N06S2-15功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2L-13功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2L-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
